[发明专利]一种适用于锗基阱的制备方法

摘要

一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H₂O₂氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO₂，再利用HCl去除GeO₂层，实现减小表面粗糙度。

主权项

一种适用于锗基阱的制备方法，其特征是，包括如下步骤：1）对锗基衬底进行清洗；2）在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；3）注入所需的杂质；4）退火实现杂质的激活；5）去除注入的掩蔽层；6）用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。