[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区、逻辑区和电容区；在所述电容区半导体衬底表面形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，直至暴露出半导体衬底表面，使得刻蚀后的掩膜层与半导体衬底形成第一凹槽；在所述第一凹槽底部和侧壁、以及掩膜层表面形成侧墙膜；回刻蚀去除位于掩膜层表面的侧墙膜，直至暴露出掩膜层表面和半导体衬底表面，形成紧挨掩膜层侧壁的侧墙，所述侧墙与半导体衬底形成第二凹槽；在所述掩膜层表面、以及第二凹槽底部和侧壁形成第一介质层。本发明提供一种新的半导体器件的形成方法，在半导体器件中形成半导体电容器，无需额外增加工艺步骤，节省工艺成本。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区、逻辑区和电容区；在所述电容区半导体衬底表面形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，直至暴露出半导体衬底表面，使得刻蚀后的掩膜层与半导体衬底形成第一凹槽；在所述第一凹槽底部和侧壁、以及掩膜层表面形成侧墙膜；回刻蚀去除位于掩膜层表面和半导体衬底表面的侧墙膜，保留形成紧挨掩膜层侧壁的侧墙，所述侧墙与半导体衬底形成第二凹槽；在所述掩膜层表面、以及第二凹槽底部和侧壁形成第一介质层；在所述存储区半导体衬底表面形成字线多晶硅层的同时，形成覆盖于所述第一介质层的第一多晶硅膜；去除位于掩膜层表面的第一多晶硅膜和第一介质层，形成第一多晶硅层；去除所述掩膜层，暴露出电容区半导体衬底表面；在所述第一多晶硅层表面形成第二介质层；在所述逻辑区形成栅极的同时，在所述第二介质层表面和电容区半导体衬底表面形成第二多晶硅膜，并对所述第二多晶硅膜进行刻蚀，暴露出侧墙一侧的半导体衬底表面和部分第一多晶硅层表面，形成覆盖剩余第二介质层的第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层还覆盖侧墙的侧壁。