[发明专利]相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元在审
| 申请号： | 201410075734.6 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103904215A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 程国胜;张杰;孔涛;黄荣;卫芬芬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的相变存储器单元的制备方法，采用吸附有金纳米颗粒的衬底，以由锡粉末和碲化锗粉末组成的混合物作为蒸发源，将上述蒸发源与衬底置于水平管式炉内，在一定的条件下进行化学反应，得到沉积有锡掺杂碲化锗纳米线的衬底，将上述衬底上的锡掺杂碲化锗纳米线迁移至2英寸SiO2/Si表面各个小金属框的中心处，烘干；再分别采用紫外光刻、磁控溅射技术和剥离技术得到所述相变存储器单元，即锡掺杂碲化锗纳米线两端电极器件，上述相变存储器单元通过对相变材料掺杂锡粉末进行改性，从而提高了相变材料的电阻率，降低了相变材料的熔点，从而有效降低相变材料的操作功耗。另外，本发明还提供了一种相变材料及相变存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 制备 方法 材料 | ||
【主权项】：
一种相变存储器单元的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：S110：提供一衬底，并在所述衬底表面吸附金纳米颗粒；S120：将由锡粉末和碲化锗粉末组成的混合物作为蒸发源；S130：将所述衬底和所述蒸发源于惰性环境中加热，且使所述衬底置于所述蒸发源的下风向处；S140：将所述衬底升温至360～420℃后保温60～90min，所述蒸发源升温至510～540℃后保温60～90min，并在升温过程中持速通入所述惰性气体；S150：通入所述惰性气体使所述衬底和所述蒸发源冷却至室温，得到沉积有锡掺杂碲化锗纳米线的衬底；S160：将步骤S150中得到的衬底置于乙醇中进行超声、静置，形成悬浮液；S170：将所述悬浮液的上层溶液，滴在由SiO2/Si形成的各个小金属框的中心处，烘干；S180：将步骤S170中得到的SiO2/Si分别采用紫外光刻、磁控溅射技术和剥离技术得到所述相变存储器单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410075734.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
