[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201410072064.2 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103904177B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 代露;魏世祯;谢文明 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，所述成核层包括多个AlxGa1‑xN层，0＜x＜1，所述多个AlxGa1‑xN层的Al组分含量沿所述外延片的生长方向逐层减少。本发明通过在蓝宝石衬底和未掺杂GaN层之间加入成核层，成核层包括多个AlxGa1‑xN层，0＜x＜1，可以避免未掺杂GaN层和衬底之间晶格不匹配。而且多个AlxGa1‑xN层的Al组分含量沿外延片的生长方向逐层减少，改善了最终生长出来的外延层的翘曲度，外延片内光电性能比较均匀，晶体质量较好。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，其特征在于，所述外延片还包括成核层，所述成核层位于所述缓冲层和所述未掺杂GaN层之间，所述成核层包括多个AlxGa1‑xN层，0＜x＜1，所述多个AlxGa1‑xN层的Al组分含量沿所述外延片的生长方向逐层减少，所述成核层的厚度为200nm‑500nm；所述未掺杂GaN层为多周期结构，每个周期包括AlGaN层和GaN层。
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