[发明专利]基于GaNMMIC功率放大器的混合集成有源环行器有效
| 申请号： | 201410064306.3 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104868212B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 车文荃;顾黎明;蔡奇;冯文杰;陈海东 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01P1/387 | 分类号： | H01P1/387 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器，所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威尔金森功分器与功率放大器之间通过金丝键合线进行互连；所述威尔金森功分器的功率合成端口分别分发射端口、天线端口和接收端口，相邻威尔金森功分器之间分别放置一个功率放大器，威尔金森功分器的功分端口分别接入相邻功率放大器的射频端口，形成顺时针方向的通路且整个系统具有非互易工作性能。本发明具有集成度高、电路体积小、功率容量高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan mmic 功率放大器 混合 集成 有源 环行器 | ||
【主权项】：
一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，其特征在于，包括第一威尔金森功分器(1)、第二威尔金森功分器(2)、第三威尔金森功分器(3)、第一功率放大器(4)、第二功率放大器(5)和第三功率放大器(6)，三个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威尔金森功分器与功率放大器之间通过金丝键合线进行互连；所述第一威尔金森功分器(1)的功率合成端口即为发射端口，第一威尔金森功分器(1)的一个功分端口通过第二金丝键合线BW2与第一功率放大器(4)的射频输入端口连接、另一个功分端口通过第一金丝键合线BW1与第三功率放大器(6)的射频输出端口连接；第一功率放大器(4)的射频输出端口与第二威尔金森功分器(2)的一个功分端口通过第五金丝键合线BW5连接，第二威尔金森功分器(2)的功率合成端口即为天线端口，第二威尔金森功分器(2)的另一个功分端口与第二功率放大器(5)的射频输入端口通过第六金丝键合线BW6连接；第二功率放大器(5)的射频输出端口通过第九金丝键合线BW9与第三威尔金森功分器(3)的一个功分端口连接，第三威尔金森功分器(3)的功率合成端口即为接收端口，第三威尔金森功分器(3)的另一个功分端口通过第十金丝键合线BW10与第三功率放大器(6)的射频输入端口连接。
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