[发明专利]一种cmos硅片裂片的处理装置及其处理方法

摘要

本发明提供一种cmos硅片裂片的处理装置及其处理方法，所述处理装置包括承压部、挤压部以及铜棒，所述承压部通过连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有弹性垫片、第一PVC透明片以及第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有第二宣纸层以及第二PVC透明片；方法如下：往第一宣纸层和第二宣纸层滴冷媒；将整片硅片的正面朝下放置于第一宣纸层上，然后盖下挤压部；将铜棒放于挤压部的上方，并沿整片硅片的横向、纵向切割道方向各推压一次，形成硅片裂片；将整个处理装置翻转，则硅片裂片的正面均朝上，再挑选合格的硅片裂片。本发明能够大大提高硅片裂片的拆分效率，同时不划伤硅片表面，且不会产生崩边及摩擦静电现象。

主权项

一种cmos硅片裂片的处理装置，其特征在于：所述处理装置包括一承压部、一挤压部以及一铜棒，所述承压部通过一连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有一弹性垫片、一第一PVC透明片以及一第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有一第二宣纸层以及一第二PVC透明片。