[发明专利]利用真空降膜蒸发法浓缩氟硅酸的方法有效

专利信息
申请号: 201410062860.8 申请日: 2014-02-25
公开(公告)号: CN103848426A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 杨三可;朱静;李天祥;刘松林;刘飞;黄江生;李子艳 申请(专利权)人: 瓮福(集团)有限责任公司;贵州大学
主分类号: C01B33/10 分类号: C01B33/10;B01D1/22
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 王蕊
地址: 550002 贵州省贵阳*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种利用真空降膜蒸发法浓缩氟硅酸的方法。该方法的步骤如下:(1)原料氟硅酸从降膜蒸发器顶部进料,经上层的液体分布器,在降膜蒸发器内成膜状流下;所述氟硅酸浓度为8~20%;氟硅酸进入降膜蒸发器的流量在300~2000ml/min;同时控制真空度在-0.06~-0.09MPa;(2)降膜蒸发器夹套内通入传热介质,对蒸发器内的料液进行加热;传热介质温度40~80℃,浓缩蒸发时间40~100min;(3)在降膜蒸发器下部的闪蒸室内水蒸汽和浓缩液进行分离,水蒸汽引出降膜蒸发器,进入冷凝器进行冷却回收,浓缩液由降膜蒸发器底部流出进入储罐,获得产品。本发明的方法工艺简单、能耗低、投资少。
搜索关键词: 利用 空降 蒸发 浓缩 硅酸 方法
【主权项】:
 利用真空降膜蒸发法浓缩氟硅酸的方法,其特征是:该方法的步骤如下:(1) 原料氟硅酸从降膜蒸发器顶部进料,经上层的液体分布器,在降膜蒸发器内成膜状流下;所述原料氟硅酸质量百分比浓度为8~20%;原料氟硅酸进入降膜蒸发器的流量在300~2000ml/min;同时控制真空度在‑0.06 ~ ‑0.09 MPa;(2) 降膜蒸发器夹套内通入传热介质,对蒸发器内的料液进行加热;传热介质温度为40~80℃,浓缩蒸发时间40~100min;(3)在降膜蒸发器下部的闪蒸室内水蒸汽和浓缩液进行分离,水蒸汽引出降膜蒸发器,进入冷凝器进行冷却回收,浓缩液由降膜蒸发器底部流出进入储罐,获得产品。
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