[发明专利]一种硒化铜荧光量子点及其制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 201410062336.0 申请日: 2014-02-24
公开(公告)号: CN103803511A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 陈苏;张强;王彩凤 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;C09K11/88;H01G9/20;H01L33/50
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 徐冬涛;袁正英
地址: 211816 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种硒化铜荧光量子点及其制备方法和应用;其特征在于为Cu2Se、CuSe或Cu2-xSe中一种或其组合,量子点粒径为2~10nm,量子产率为10~60%,光致发光谱的半峰宽为30~150nm;以溶有铜盐的水溶液为水相,溶有长链配体的有机溶剂为油相,在惰性保护气体中搅拌在油浴中加热形成前驱体溶液;将硒氢化钠水溶液注入热的前躯体溶液中,加热反应,不同时间取样获得具备不同发射荧光的有机相的量子点溶液;将上层有机相的量子点溶液沉淀,再经离心、分散,重复后去除未反应原料即得硒化铜荧光量子点。此类量子点不含镉等重金属元素,毒性低,具有量子产率高,粒径均一,较窄的荧光发射光谱,发光颜色随激发波长可调,能应用于构筑量子点太阳能敏化电池以及LED器件。
搜索关键词: 一种 硒化铜 荧光 量子 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种硒化铜荧光量子点,其特征在于为Cu2Se、CuSe或Cu2‑xSe中一种或其组合,量子点粒径为2~10nm,量子产率为10~60%,光致发光谱的半峰宽为30~150nm。
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