[发明专利]一种薄硅片的重新利用方法

摘要

本发明涉及一种薄硅片的重新利用方法，所述的方法步骤为1）选用两片使用过的厚度偏薄的测试硅片，进行常规的再生工艺后，每片都有一个面是抛光面；2）将其中任意一片抛光硅片，热氧化生成SiO₂层，然后使带有氧化层的抛光硅片A正面与另一抛光硅片B的正面两两正对后进行室温键合；或不进行热氧化，直接将两片抛光硅片正面两两对准后进行室温键合；从而获得键合硅片组；3）将步骤2）键合的硅片组放到高温炉中进行退火，得到加固后的硅片组；4）将键合硅片组进行减薄，减薄后的厚度为半导体制造需要的最高厚度加抛光需要去除的损伤层厚度；5）抛光，去除掉表面由于减薄产生的损伤层；6）经过清洗检验合格后送半导体制造工厂作为测试片使用。本发明充分利用了偏薄要欲报废的偏薄硅片，降低了成本。

主权项

一种薄硅片的重新利用方法，其特征在于所述的方法的步骤为：1）选用两片使用过的厚度偏薄的测试硅片，即抛光片A和抛光片B厚度不符合硅片制造的测试片的厚度要求，进行常规的再生工艺后，每片都有一个面是抛光面；2）将其中任意一片抛光硅片，抛光片A进行热氧化生成SIO₂层，然后使带有氧化层的抛光硅片正面与另一抛光硅片B的正面两两正对后进行室温键合；或不进行热氧化，直接将两片抛光硅片正面两两对准后进行室温键合；从而获得键合硅片组；3）将步骤2）键合的硅片组放到高温炉中进行退火，得到加固后的硅片组；4）将键合硅片组进行减薄，减薄后的厚度为半导体制造需要的最高厚度加抛光需要去除的损伤层厚度；5）抛光，去除掉表面由于减薄产生的损伤层；6）经过清洗检验合格后送半导体制造工厂作为测试片使用。