[发明专利]硅衬底的三氧化二铝栅介质双栅石墨烯晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201410060321.0 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103811556A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;赵亚秋;张玉明;黄海栗;雷天民;胡彦飞 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅衬底的三氧化二铝栅介质双栅石墨烯晶体管及制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管沟道载流子迁移率低及载流子散射的问题。其实现步骤是：在外延于Si衬底上的3C-SiC表面淀积一层Al2O3，并光刻出双栅图形；将刻蚀后的样片置于石英管中，通过Cl2与SiC反应，生成碳膜，再将将该碳膜样片置于Ar气中退火，生成石墨烯；然后将石墨烯样片上距导电沟道60-400nm处的两侧Al2O3刻蚀掉，形成双栅槽；最后在石墨烯样片上淀积金属层并刻蚀成晶体管金属接触。本发明制作出的双栅石墨烯晶体管具有载流子迁移率高，抑制散射效应性能好，能更好调制沟道载流子浓度的优点，可用于制作大规模集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氧化 二铝栅 介质 石墨 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅衬底的三氧化二铝栅介质双栅石墨烯晶体管，包括：石墨烯沟道（4）、电极、栅介质层（5）、3C‑SiC外延层（6）、碳化层（7）和Si衬底（8），其特征在于，石墨烯沟道（4）的两侧各设有一个栅电极（1），每个栅电极（1）与石墨烯沟道（4）之间各设有一层Al2O3栅介质层（5），形成双栅电极结构。
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