[发明专利]一种FINFET结构的制备方法

摘要

本发明提供一种FINFET结构的制备方法，包括研磨掉氮化硅2上的氧化硅1；通过低选择比研磨液继续研磨一定量的氧化硅1和氮化硅2，以减薄氮化硅2的厚度；湿法刻蚀去除氮化硅；湿法刻蚀去除部分氧化硅1，形成FinFET结构。本发明的技术方案简便易行，利用两次CMP制程，减薄氮化硅的厚度，增加氮化硅的宽度，即增加氮化硅与药剂的接触面积，有利于湿法对氮化硅的去除，最终达到氮化硅的完全去除，避免了氮化硅去除不完全的后果。

主权项

一种FINFET的鳍状结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供待研磨晶圆，所述晶圆的STI区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层、氮化硅和氧化物，所述晶圆的其他区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层和氧化物层，位于STI区域的缓冲垫氧化层的顶部高于其他区域中的缓冲垫氧化层的顶部；步骤2，研磨掉氮化硅上的氧化物；步骤3，继续研磨一定量的氧化物层和氮化硅；步骤4，湿法刻蚀去除氮化硅；步骤5，湿法刻蚀去除部分氧化物层，使位于STI区域的缓冲垫氧化层高于位于晶圆的其他区域的剩余的氧化物层，以形成鳍状结构。