[发明专利]一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体及其水相制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410054799.2 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103820120A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;沈志涛;王依婷;罗春花 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;A61K49/00;A61K49/06;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体其为具有磁性的Gd掺杂的CdTe纳米晶体，10≤Cd/Gd的摩尔比≤50，其荧光发射波长可调，其荧光量子产率高。本发明还公开该Gd掺杂的CdTe纳米晶体的水相制备方法及其在荧光-核磁共振双模式成像中的应用。本发明制备方法在水溶液中进行，具有原料易得、成本低、操作简单安全、可控性强等优点。本发明Gd掺杂的CdTe纳米晶体的水溶性好、荧光发射波长可调、荧光量子产率高、生物相容性好，具有优良荧光和磁性性质，具有非常好的荧光-磁共振双模式成像性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gd 掺杂 cdte 纳米 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体，其特征在于，其为具有磁性的Gd掺杂的CdTe纳米晶体，10≤Cd/Gd的摩尔比≤50，其荧光发射波长可调，其荧光量子产率高；所述荧光发射波长的可调范围为500～750nm；所述荧光量子产率达30％。
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