[发明专利]半导体封装及其制造方法无效
| 申请号： | 201410054734.8 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103855138A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 孙晧荣;崔俊基;梁胜宅 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/768;H01L21/98;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种能够有效堆叠的半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：半导体芯片、绝缘层和贯通电极。半导体芯片具有：第一表面和第二表面、在半导体芯片中的电路部、与电路部电连接的内部电路图案、穿过内部电路图案并穿过第一和第二表面的通孔。绝缘层在半导体芯片的通孔上并具有暴露出内部电路图案的开口，所述内部电路图案通过通孔暴露出。贯通电极在通孔中并与通过绝缘层的开口暴露出的内部电路图案电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：半导体芯片，包括：第一表面和背离所述第一表面的第二表面，设置于所述半导体芯片中的电路部，与所述电路部电耦合并且在相对于所述第一表面的不同深度处的第一和第二内部电路图案，和均穿过所述第一和第二表面并分别穿过所述第一和第二内部电路图案的第一和第二通孔；分别在所述第一和第二通孔上的第一和第二绝缘层，所述第一和第二绝缘层分别具有分别沿着所述第一和第二通孔暴露出所述第一和第二内部电路图案的第一开口和第二开口；以及分别在所述第一和第二通孔内的第一和第二贯通电极，所述第一和第二贯通电极分别与通过所述第一和第二开口分别暴露出的所述第一和第二内部电路图案电耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410054734.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
