[发明专利]一种基于缺陷磁泄漏域反向场的漏磁检测方法与装置有效
| 申请号： | 201410054589.3 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103776897A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 孙燕华;冯博;康宜华;叶志坚;李冬林 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/83 | 分类号： | G01N27/83 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测方法及其装置。该方法为①将待检测导磁构件磁化；②在上述被磁化的导磁构件外围，剔除已有背景磁场，形成磁真空区域；③采用磁敏元件布置于磁真空区域，拾取无磁压缩效应的缺陷漏磁场并转化为电压信号，如果电压信号中存在突变，则说明待检测导磁构件中存在缺陷，否则无缺陷。装置采用穿过式线圈对被检测导磁构件实施局部磁化，以便激发出该磁化区域内导磁构件上缺陷的漏磁场；在其内腔布置永磁体对，产生反向磁场与原背景磁场叠加抵消，形成磁真空区域以供缺陷的漏磁场泄漏扩散进来，同时消除由背景磁场所引起的磁噪声及布置于内的霍尔元件的磁饱和不工作现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 缺陷 泄漏 反向 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测方法，该方法步骤包括：第1步、将待检测导磁构件磁化；第2步、在上述被磁化的导磁构件外围，施加反向磁场，抵消背景磁场，形成磁真空区域；第3步、采用磁敏元件布置于磁真空区域，拾取无磁压缩效应的缺陷漏磁场并转化为电压信号，如果电压信号中存在突变，则说明待检测导磁构件中存在缺陷，否则无缺陷。
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