[发明专利]应用于半导体设备的喷射器与上盖板总成有效
申请号: | 201410050157.5 | 申请日: | 2014-02-13 |
公开(公告)号: | CN104005006A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 黄灿华;韩宗勋;黄建宝;伍苗展 | 申请(专利权)人: | 汉民科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C14/22 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北巿大*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关一种喷射器与上盖板总成,包含上盖板、喷射器及顶板。上盖板包含多个流体冷却通道。喷射器设置于上盖板,包含气源分配器、流体冷却式气源通道、多个气源喷射板及导锥。气源分配器均匀分布多种气体及气源通道冷却流体,流体冷却式气源通道连接气源分配器,导入气源通道冷却流体形成多个流体墙,并导入第一气体及多种气体。多个气源喷射板及导锥依序设置于该流体冷却式气源通道下,顶板贴附于上盖板表面及邻近喷射器一侧。本发明可防止一般现有的工艺中堆积脏污物质附着于顶板的下表面,提高工艺正品率,同时具备可调变气源流速与流场特征,利于工艺开发,更具实用性。 | ||
搜索关键词: | 应用于 半导体设备 喷射器 盖板 总成 | ||
【主权项】:
一种喷射器与上盖板总成,其特征在于其包含:上盖板,该上盖板包含多个流体冷却通道,用以分别导入多个不同温度冷却流体以形成温度梯度;喷射器,该喷射器设置于该上盖板,包含:气源分配器,该气源分配器均匀分布多种气体及气源通道冷却流体,该气源分配器包含气体管路,该气体管路穿越该气源分配器以导入第一气体;流体冷却式气源通道,该流体冷却式气源通道连接该气源分配器,包含:多个独立通道,以导入该气源通道冷却流体形成多个流体墙;第一气体信道,该第一气体通道连接该气体管路;及多个气体通道,以分别导入该多种气体;其中该独立信道位于相邻二个该气体通道之间以及外侧;及多个气源喷射板及导锥依序设置于该流体冷却式气源通道下,相邻二个该气源喷射板改变该多种气体其中之一的流动方向,该气源喷射板及该导锥改变该第一气体的流动方向;以及顶板,设置贴附于该上盖板的表面及邻近于该喷射器的一侧。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的