[发明专利]基于埋层的垂直结构存储器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于埋层的垂直结构存储器的制备方法。该方法采用填埋下电极和存储功能材料层，不仅可以实现良好的电热绝缘，而且避开了以往制备此类垂直结构器件对化学机械抛光(CMP)的依赖。该方法在电子束曝光、聚焦粒子束刻蚀等高精度线性光刻手段，及高精度的薄膜淀积与刻蚀工艺辅助下，解决了以往研发此类垂直结构由CMP技术的研发瓶颈所导致的研发周期长、难度大、成本高、适用性差的缺点，并在制备精度、制备效率、经济性以及与现有的CMOS工艺兼容性等方面具有很大的优越性。

主权项

一种基于埋层的垂直结构存储器的制备方法，该方法包括：步骤1：在衬底上，依次淀积电热绝缘材料层和牺牲材料层；步骤2：在牺牲材料层上，旋涂光刻第一掩模层，并光刻形成纵向开槽；步骤3：通过纵向开槽，干法刻蚀牺牲材料层和电热绝缘材料层组成的叠层，在电热绝缘材料层上形成不触底的电热绝缘材料层开槽；步骤4：有机清洗去除样片表面的刻蚀残留物，在电热绝缘材料层开槽和牺牲材料层暴露的上表面上，依次淀积第一电极材料层和存储材料层，腐蚀牺牲材料层剥离，以在电热绝缘材料层开槽内形成纵向第一电极材料层以及覆盖其上方的纵向存储功能叠层，其中纵向第一电极材料层的上表面不高于电热绝缘材料层的上表面；步骤5：在电热绝缘材料层和纵向存储功能叠层暴露的上表面，旋涂光刻第二掩模层，光刻形成横向开槽，所述横向开槽与所述纵向存储功能叠层垂直交叉；步骤6：在横向开槽、电热绝缘材料层及纵向存储功能叠层暴露的上表面上，淀积第二电极材料层；步骤7：剥离第二掩膜层，去除其上方的第二电极材料层，在横向开槽内，形成横向第二电极材料层，在并去除横向第二电极材料层正下方以外的纵向存储功能叠层，形成局域化存储材料层；步骤8：在牺牲材料层、纵向第一电极材料层和横向第二电极材料层暴露的上表面旋涂光刻第三掩模层，并光刻形成位于纵向第一、横向第二电极材料层一端上方的开槽，淀积金属层形成第一测试电极和第二测试电极，然后淀积钝化材料层钝化并引出第一、第二测试电极，完成器件制备。