[发明专利]一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，根据本发明的方法提出了采用牺牲层以实现形成NMOS金属栅极结构和PMOS金属栅极结构。在形成有牺牲层的条件下，NMOS金属栅极或者PMOS金属栅极的边缘没有隔离层。在本发明的制作方法中可以先形成PMOS金属栅极结构再形成NMOS金属栅极结构，还可以先形成NMOS金属栅极结构再形成PMOS金属栅极结构。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括第一虚拟栅极，所述第二区域包括第二虚拟栅极，其中所述第一虚拟栅极包括第一虚拟栅极材料层和第一虚拟栅极氧化层，所述第二虚拟栅极包括第二虚拟栅极材料层和第二虚拟栅极氧化层；去除所述第一区域中的所述第一虚拟栅极，以在所述第一区域中形成第一沟槽；在所述半导体衬底上依次形成高K介电层、覆盖层、阻挡层、P型功函数金属层和金属电极层；执行平坦化工艺以露出层间介电层；去除所述第二区域中的所述第二虚拟栅极，以在所述第二区域中形成第二沟槽；在所述半导体衬底上依次形成高K介电层和牺牲层；回刻蚀去除位于所述层间介电层上以及部分的位于所述第二沟槽中的所述牺牲层；刻蚀去除位于所述层间介电层上以及部分的位于所述第二沟槽顶部附近的所述高K介电层；去除位于所述第二沟槽中剩余的所述牺牲层；在所述第二沟槽的底部和侧壁上依次形成覆盖层、阻挡层、N型功函数金属层和金属电极层；执行平坦化工艺。