[发明专利]具有双斜坡场板的LDMOS器件有效
| 申请号： | 201410025986.8 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103996710B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金成龙;马克·施密特;克里斯托弗·纳萨尔;史蒂文·莱比格尔 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,张英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个总的方面，本发明公开了一种设备，所述设备可包括设置在半导体基板中的沟道区、设置在所述沟道区上的栅极电介质以及设置在所述半导体基板中与所述沟道区相邻的漂移区。所述设备还可包括场板，所述场板具有设置在所述半导体基板的顶部表面与所述栅极电介质之间的末端部分。所述末端部分可包括与所述栅极电介质接触的表面，所述表面具有沿着与第二平面不平行的第一平面对齐的第一部分，所述表面的第二部分沿着所述第二平面对齐，所述第一平面与所述半导体基板的所述顶部表面不平行并且所述第二平面与所述半导体基板的所述顶部表面不平行。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 斜坡 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，即LDMOS晶体管，包括：源极区，所述源极区设置在半导体基板中；漏极区，所述漏极区设置在所述半导体基板中；沟道区，所述沟道区设置在所述半导体基板中位于所述源极区与所述漏极区之间；漂移区，所述漂移区设置在所述半导体基板中位于所述沟道区与所述漏极区之间；场电介质板，所述场电介质板设置在所述半导体基板上位于所述漂移区的至少一部分上方；以及栅电极，所述栅电极设置在所述场电介质板的至少一部分上，所述场电介质板包括：第一部分，所述第一部分具有与所述栅电极接触的表面，所述第一部分的所述表面具有相对于所述半导体基板的表面的第一斜坡；以及第二部分，所述第二部分设置在所述第一部分上并具有与所述栅电极接触的表面，所述第二部分的所述表面具有相对于所述半导体基板的所述表面的第二斜坡，所述第二斜坡不同于所述第一斜坡，其中所述第二斜坡始于所述第一斜坡的顶部处。
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