[发明专利]浮区法生长莫来石晶体的方法

摘要

本发明公开了一种浮区法生长莫来石晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Al₂O₃和SiO₂按照化学计量比进行配料；将配制的混合料进行球磨、烘干、过筛、预烧、再次过筛；然后将粉料压制成棒状的料棒；将制得的料棒经过马弗炉烧结后得到致密均匀的多晶棒；将多晶棒放入浮区炉中，50～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶开始融化，对接，使熔区稳定3～5分钟后，设置晶体生长速度为2～10mm/h，开始晶体生长；生长结束后，设置降温参数冷却至室温。本发明首次用浮区法生长出无宏观缺陷的莫来石晶体，成晶质量高，生长速度快。

主权项

一种浮区法生长莫来石晶体的方法，其特征在于步骤如下：（1）将Al₂O₃和SiO₂按化学计量比进行配料，用无水乙醇作为弥散剂稀释混合均匀，球磨烘干、200目过筛，将粉料放入坩埚中置于马弗炉中预烧，在1450～1500℃温度下，恒温预烧15～20h，然后研磨并200目二次过筛；（2）将（1）中二次过筛后的粉料装入长条形橡胶气球中，压实封闭，抽真空10～20min，用等静压65～70MPa的压力下，压制10～30min制得素胚体；（3）将（2）中制得的素胚体放入马弗炉中烧结，在1550～1650℃的温度下，恒温烧结15～30h，获得多晶棒；（4）在光学浮区炉中，以（3）中制得的多晶棒作为籽晶置于下方，将（3）中制得的多晶棒悬挂置于籽晶上方，设置籽晶上方的多晶棒和籽晶的旋转方向为反向，旋转速度为20～30rpm，以50～100℃/min的速率升温至籽晶和籽晶上方的多晶棒融化，对接，3～5min后设置晶体生长速度为2～10mm/h开始生长；（5）设置降温时间为0.5～5h，使所生长的晶体冷却至室温，取出。