[发明专利]一种VDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410014444.0 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104779288B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;宋林清 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS器件及其制造方法，所述VDMOS器件包括外延层和形成在外延层上的栅极氧化层和场氧化层，所述场氧化层表面形成有多晶硅层，还包括源区接触孔和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。本发明通过优化VDMOS的栅极接触孔的开孔位置，将其移到场氧化层处，这样在刻蚀栅极接触孔时，对多晶层的刻蚀，就不会对其下方的栅氧化层造成损伤，从而提高栅源之间的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种VDMOS器件，包括外延层和形成在外延层上的栅极氧化层和场氧化层，所述场氧化层表面形成有多晶硅层，其特征在于，还包括源区接触孔和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内；所述源区接触孔和所述栅极接触孔为硅孔，所述源区接触孔和所述栅极接触孔内注入P型离子；所述栅极氧化层表面形成有介质层，所述栅极接触孔贯穿所述介质层并伸入到多晶硅层中，所述源区接触孔形成在源区，并贯穿所述介质层和栅极氧化层后伸入到外延层中。
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