[发明专利]多晶硅料复投方法有效
| 申请号： | 201410012263.4 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103757691A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 乔松;尹东坡;司佳勇;郭凯 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅料复投方法。该多晶硅料复投方法包括：步骤S1：在拉制单晶硅棒的坩埚内的熔硅表面结晶形成托盘；步骤S2：向坩埚内投放多晶硅料，并使多晶硅料位于托盘上；步骤S3：在投放的多晶硅料达到预定量之后，保持预定时间，然后将托盘和托盘上的多晶硅料完全熔化在坩埚内以拉制单晶硅棒。根据本发明，能够将多晶硅料携带的气体蒸发掉，防止气体在多晶硅料熔化过程中膨胀而使得熔硅飞溅，从而避免熔硅飞溅对拉制单晶硅棒的装置造成损害，降低了企业的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅料复投 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅料复投方法，其特征在于，包括：步骤S1：在拉制单晶硅棒的坩埚（22）内的熔硅表面结晶形成托盘（19）；步骤S2：向所述坩埚（22）内投放多晶硅料（11），并使所述多晶硅料（11）位于所述托盘（19）上；步骤S3：在投放的所述多晶硅料（11）达到预定量之后，保持预定时间，然后将所述托盘（19）和所述托盘（19）上的多晶硅料（11）完全熔化在所述坩埚（22）内以拉制单晶硅棒。
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