[发明专利]微聚光光伏焊带及其制备工艺无效
申请号: | 201410012132.6 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN103700718A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 张舒;杨泽民;陈辉 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种微聚光光伏焊带及其制备工艺,微聚光光伏焊带包括基带,基带具有受光面、背面和侧面,并且受光面呈锯齿状结构,所述的受光面上设置有反射镀层,并且该反射镀层由厚度为500nm~5μm、在300nm~1200nm波长范围内的光波照射下反射率为65%以上、熔点在232℃以上的金属或合金材料制成,背面和侧面上均设置有镀层,并且该镀层由厚度为10μm~25μm、熔点低于232℃的金属或合金材料制成。本发明的焊带不仅能够降低焊带对导电胶粘接工艺的依赖性,降低制造成本,而且能够提高微聚光效果,提高组件的功率。 | ||
搜索关键词: | 聚光 光伏焊带 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种微聚光光伏焊带,它包括基带(1),基带(1)具有受光面、背面和侧面,并且受光面呈锯齿状结构,其特征在于:所述的受光面上设置有反射镀层(2),并且该反射镀层(2)由厚度为500nm~5μm、在300nm~1200nm波长范围内的光波照射下反射率为65%以上、熔点在232℃以上的金属或合金材料制成,所述的背面和侧面上均设置有镀层(3),并且该镀层(3)由厚度为10μm~25μm、熔点低于232℃的金属或合金材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的