[发明专利]晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410008233.6 | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104659210A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 徐振航;王裕霖;王旨玄;辛哲宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种晶体管结构及其制作方法。晶体管结构配置于基板上且包括栅极、有机半导体层、栅绝缘层以及图案化金属层。栅绝缘层配置于栅极与有机半导体层之间。图案化金属层具有导电氧化表面，且图案化金属层区分为源极及漏极。有机半导体层的一部分暴露于源极与漏极之间。导电氧化表面直接接触有机半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管结构，配置于基板上，其特征在于该晶体管结构包括：栅极；有机半导体层；栅绝缘层，配置于该栅极与该有机半导体层之间；以及图案化金属层，具有导电氧化表面，且该图案化金属层区分为源极及漏极，其中该有机半导体层的一部分暴露于该源极与该漏极之间，且该导电氧化表面直接接触该有机半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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