[发明专利]一种转炉炉内预脱硅方法

摘要

本发明涉及一种转炉炉内预脱硅方法，包括以下步骤1）铁水条件铁水中Si的重量百分比≥0.6%；2）氧压控制分阶段控制；3）枪位采用低枪位控制；4）物料控制5）放渣时间控制最佳放渣时间在7min～8min之间；6）放渣目标碳温控制放渣温度控制在1490℃～1530℃，碳控制在2.80%～3.20%之间。与现有的技术相比，本发明的有益效果是通过在转炉炉内预脱硅，使熔剂消耗（轻烧+白灰）从原来的平均75kg/t，降低到53kg/t，同时对氧压、流量、枪位、物料配比和放渣时机的优化，避免了以前出现中途放渣带铁多或者放渣困难的情况，实现了在最大限度降低钢铁料同时实现了少渣冶炼。

主权项

一种转炉炉内预脱硅方法，其特征在于，包括以下步骤：1）铁水条件：铁水中Si的重量百分比≥0.6%；2）氧压控制分阶段控制：小于6min氧压控制在0.90～0.95MPa，供氧流量在320～350m3/min，6～7.5min氧压控制在0.85～0.90MPa，供氧强度控制在300～320m3/min；3）枪位采用低枪位控制：吹炼开始1.5min内，枪位控制在1.5～1.8m，1.5～8min时间内枪位控制在1.1～1.3m之间；4）物料控制：a.采用全留渣操作方式；b.根据铁水不同硅含量和铁水温度进行对物料进行渣料配比，见下表：5）放渣时间控制：最佳放渣时间在7min～8min之间；6）放渣目标碳温控制：放渣温度控制在1490℃～1530℃，碳控制在2.80%～3.20%之间。