[发明专利]半导体存储装置和存储数据的读取方法有效
申请号: | 201380079336.5 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN105518792B | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 马思博;吉原正浩;阿部克巳 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/04;G11C16/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 万利军;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能够提高感测放大器的读取特性的半导体存储装置和存储数据的读取方法。半导体存储装置具备感测放大器和控制器。感测放大器具有:对位线的电压进行箝位的第一晶体管、在由第一晶体管箝位了的电压节点与基准电压节点之间设置的第二晶体管以及夹插于充放电节点与由第一晶体管箝位了的电压节点之间的第三晶体管。控制器,在第一工作模式中,使第一晶体管和第二晶体管导通,使第三晶体管截止。在第二工作模式中,使第三晶体管导通,在第三工作模式中,使第一晶体管导通、使第二晶体管截止、使第三晶体管导通并使第四晶体管导通。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 数据 读取 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,具备:存储器单元;读取所述存储器单元所存储的数据的感测放大器;和控制所述感测放大器的工作的控制器,所述感测放大器具有:对与所述存储器单元相连的位线的电压进行箝位的第一晶体管;设置在由所述第一晶体管箝位了的电压节点与基准电压节点之间的第二晶体管;设置在充放电节点与由所述第一晶体管箝位了的电压节点之间的第三晶体管,所述充放电节点根据存储于所述存储器单元的数据进行充放电;和设置在所述基准电压节点与所述充放电节点之间的第四晶体管,所述控制器,在读取存储于所述存储器单元的数据时,依次执行第一工作模式、第二工作模式以及第三工作模式,在所述第一工作模式中,使所述第一晶体管和所述第二晶体管导通且使所述第三晶体管截止,在所述第二工作模式中,使所述第三晶体管导通,在所述第三工作模式中,使所述第一晶体管导通、使所述第二晶体管截止、使所述第三晶体管导通并使所述第四晶体管导通。
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