[发明专利]半导体存储装置和存储数据的读取方法有效

专利信息
申请号: 201380079336.5 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN105518792B 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 马思博;吉原正浩;阿部克巳 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/04;G11C16/06
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 万利军;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供能够提高感测放大器的读取特性的半导体存储装置和存储数据的读取方法。半导体存储装置具备感测放大器和控制器。感测放大器具有:对位线的电压进行箝位的第一晶体管、在由第一晶体管箝位了的电压节点与基准电压节点之间设置的第二晶体管以及夹插于充放电节点与由第一晶体管箝位了的电压节点之间的第三晶体管。控制器,在第一工作模式中,使第一晶体管和第二晶体管导通,使第三晶体管截止。在第二工作模式中,使第三晶体管导通,在第三工作模式中,使第一晶体管导通、使第二晶体管截止、使第三晶体管导通并使第四晶体管导通。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 数据 读取 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,具备:存储器单元;读取所述存储器单元所存储的数据的感测放大器;和控制所述感测放大器的工作的控制器,所述感测放大器具有:对与所述存储器单元相连的位线的电压进行箝位的第一晶体管;设置在由所述第一晶体管箝位了的电压节点与基准电压节点之间的第二晶体管;设置在充放电节点与由所述第一晶体管箝位了的电压节点之间的第三晶体管,所述充放电节点根据存储于所述存储器单元的数据进行充放电;和设置在所述基准电压节点与所述充放电节点之间的第四晶体管,所述控制器,在读取存储于所述存储器单元的数据时,依次执行第一工作模式、第二工作模式以及第三工作模式,在所述第一工作模式中,使所述第一晶体管和所述第二晶体管导通且使所述第三晶体管截止,在所述第二工作模式中,使所述第三晶体管导通,在所述第三工作模式中,使所述第一晶体管导通、使所述第二晶体管截止、使所述第三晶体管导通并使所述第四晶体管导通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380079336.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top