[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201380079314.9 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105518799B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 山口幸一郎;御明诚;志贺仁;柴田升 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘静;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储装置具有：存储器单元阵列，其具有与存储器单元的至少一部分的多个存储器单元连接的多条字线和包含存储器单元的至少一部分的多个存储器单元的一组在内的多个块；不良信息存储块，其包含与多条字线中的特定的2条以上的字线连接的多个存储器单元，将存储器单元阵列内的不良信息存储到这些存储器单元；第1不良检测部，其读取不良信息存储块内的存储器单元的数据，进行不良信息存储块的不良判定；第2不良检测部，其在判定为不良时，变更存储器单元的数据的读取电压电平，再次读取不良信息存储块内的存储器单元的数据，进行不良信息存储块的不良判定；以及不良确定部，其在判定为不良时，将不良信息存储块确定为不良。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其具有：存储器单元阵列，其具有多个存储器单元、与所述存储器单元的至少一部分的多个所述存储器单元连接的多条字线、与所述存储器单元的至少一部分的多个所述存储器单元连接的多条位线以及包含所述存储器单元的至少一部分的多个所述存储器单元的一组在内的多个块；不良信息存储块，其是所述多个块的至少一个，存储所述存储器单元阵列内的不良信息；第1不良检测部，其读取所述不良信息存储块内的至少一部分的所述存储器单元的数据，对该数据进行检验，由此判定所述不良信息存储块是否存在不良；第2不良检测部，其在由所述第1不良检测部判定为存在不良时，变更所述存储器单元的数据的读取电压电平，再次读取所述不良信息存储块内的至少一部分的所述存储器单元的数据，对该数据进行检验，由此判定所述不良信息存储块是否存在不良；以及不良确定部，其在由所述第2不良检测部判定为存在不良时，将所述不良信息存储块确定为不良。
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