[发明专利]NMOS结构中形成位错增强的应变的方法有效
| 申请号： | 201380079159.0 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105493254B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | M·杰克逊;A·默西;G·格拉斯;S·莫拉尔卡;C·莫哈帕特拉 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了利用布置在源极结构/漏极结构中的位错形成应变沟道器件的方法。这些方法和结构可以包括在包括硅的器件的源极开口/漏极开口上形成薄硅锗材料，其中，在所述硅锗材料中形成多个位错。在所述薄硅锗材料上形成源极材料/漏极材料，其中，所述位错在器件的沟道区中引起拉伸应变。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 结构 形成 增强 应变 方法 | ||
【主权项】：
一种形成结构的方法，包括：在布置于衬底上的器件的源极区/漏极区中形成开口；在源极开口/漏极开口中形成位错形核材料，其中，所述位错形核材料包括与衬底晶格常数失配的晶格常数，并且其中，在所述位错形核材料中形成多个位错；以及在位错材料上形成源极材料/漏极材料，其中，在所述源极材料/漏极材料中形成多个源极位错/漏极位错。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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