[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201380078889.9 | 申请日： | 2013-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN105474324A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 加藤多实结 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/04;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 存储器阵列(101)包括多个通过阈值电压的差异而保持二进制数据并且由各自能够电改写的第1存储元件(102)与第2存储元件(103)构成的双单元(104)。电源控制电路(105)在接受了双单元数据的消除请求时，在使第1存储元件(102)与第2存储元件(103)的阈值电压均增加的预写之后的消除脉冲施加时，将与第1存储元件(102)连接的第1位线BL的电压和与第2存储元件(103)连接的第2位线/BL的电压设定成不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：存储器阵列，包括多个双单元，各所述双单元通过阈值电压的差异而保持二进制数据，并由各自能够电改写的第1存储元件和第2存储元件构成；以及电压控制电路，在接受了所述双单元数据的消除请求时，在使所述第1存储元件与所述第2存储元件的阈值电压均增加的预写之后的消除脉冲施加时，将与所述第1存储元件连接的第1位线的电压和与所述第2存储元件连接的第2位线的电压设定成不同。
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