[发明专利]具有用于分级写入的NVRAM的持久性存储装置有效

专利信息
申请号: 201380072287.2 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN104969168A 公开(公告)日: 2015-10-07
发明(设计)人: J.乔治;A.奥尔布里奇;B.奥克拉夫卡;D.丁克;P.奇尤;E.弗索夫 申请(专利权)人: 桑迪士克企业知识产权有限责任公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 万里晴;王珊珊
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种持久性存储装置包括持久性存储器和NVRAM、特别是一组NVRAM块,该持久性存储器包括一组持久性存储块。该持久性存储装置通常还包括存储控制器。该持久性存储装置除了响应于将数据直接写入持久性存储块以及直接从持久性存储块读取数据的命令以外,还配置为将数据写入指定的NVRAM块(例如,由主机NVRAM写入命令所指定的)并且配置为将数据从指定的NVRAM块转移至指定的持久性存储块。结果,向特定的持久性存储块的多次写入能够被向NVRAM块的多次写入以及向该特定的持久性存储块的随后的单次写入所替代。这减少了向持久性存储器的写入次数,还减少了相应的块擦除操作的次数。
搜索关键词: 具有 用于 分级 写入 nvram 持久性 存储 装置
【主权项】:
一种持久性存储装置,包括:持久性存储器,包括一组持久性存储块;NVRAM,包括与所述持久性存储器不同类型的非易失性存储器并且包括一组NVRAM块;存储控制器,配置为从外部主机装置接收命令并且还配置为:响应于转移命令,将指定的NVRAM块中的数据转移至相应的持久性存储块,其中所述数据先前被写到所述指定的NVRAM块。
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