[发明专利]用于三态内容可寻址存储器(TCAM)的静态NAND单元有效

专利信息
申请号: 201380068595.8 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN104885159B 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: E·特泽格鲁;N·德塞;R·瓦蒂孔达;C·郑;S·S·尹 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C15/04 分类号: G11C15/04
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 静态三态内容可寻址存储器(TCAM)包括耦合到中间匹配线的键单元和掩码单元。键单元耦合到第一下拉晶体管和第一上拉晶体管。掩码单元耦合到第二下拉晶体管和第二上拉晶体管。第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并联连接,而第一上拉晶体管和第二上拉晶体管串联连接。匹配线输出也耦合到第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并且进一步耦合到第一上拉晶体管和第二上拉晶体管。
搜索关键词: 用于 三态 内容 寻址 存储器 tcam 静态 nand 单元
【主权项】:
1.一种静态三态内容可寻址存储器TCAM,包括:配置成基于搜索位与键位的比较来生成比较输出的键单元,其中响应于所述比较输出指示所述搜索位与所述键位之间的匹配,第一下拉晶体管导通并且第一上拉晶体管不导通,并且其中响应于所述比较输出指示所述搜索位与所述键位之间的失配,所述第一下拉晶体管不导通并且所述第一上拉晶体管导通;配置成生成掩码输出的掩码单元,其中响应于所述掩码输出被断言,第二下拉晶体管导通并且第二上拉晶体管不导通,并且其中响应于所述掩码输出被解除断言,所述第二下拉晶体管不导通并且所述第二上拉晶体管导通,所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管并联连接在匹配线输出与第一供电电压端子之间,而所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管串联连接在第二供电电压端子与所述匹配线输出之间。
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