[发明专利]缺陷转移和晶格失配外延膜有效
| 申请号： | 201380060387.3 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104798179B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | B·舒金;V·H·勒;R·S·周;S·达斯古普塔;G·杜威;N·戈埃尔;J·T·卡瓦列罗斯;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·皮拉里塞泰;W·拉赫马迪;M·拉多萨夫列维奇;H·W·田;N·M·泽利克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了缺陷转移和晶格失配外延膜。实施例将很薄层的纳米结构(例如，Si或SiGe鳍状物)用作模板以生长晶体的、非晶格失配的外延(EPI)层。在一个实施例中，纳米结构与EPI层之间的体积比是使EPI层比纳米结构厚的体积比。在一些实施例中，很薄的桥层包括在纳米结构与EPI之间。实施例包括覆盖鳍状物(或曾经覆盖鳍状物)的EPI层彼此被相反极化的CMOS器件。实施例包括覆盖鳍状物(或曾经覆盖鳍状物)的EPI层与覆盖鳍状物(或曾经覆盖鳍状物)的桥层被相反极化的CMOS器件。因此，公开了用于将缺陷从EPI层转移到纳米结构(被保留或被去除)的各种实施例。本文中描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 转移 晶格 失配 外延 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包括：鳍状物结构，其包括鳍状物顶部和从所述鳍状物顶部向衬底延伸的相对的鳍状物侧壁部分；桥层，其包括分别与所述相对的鳍状物侧壁部分直接接触的相对的桥层侧壁部分；以及外延(EPI)层，其包括分别与所述相对的桥层侧壁部分直接接触的相对的EPI侧壁部分；其中，所述桥层与所述鳍状物结构之间的晶格常数差小于所述桥层与所述外延层之间的晶格常数差，其中，正交于所述鳍状物的长垂直轴的单个平面与所述鳍状物结构在第一区域上相交并且与所述EPI侧壁在第二区域上相交，并且所述第二区域大于所述第一区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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