[发明专利]氮化硅烧结体及使用其的耐磨件在审
申请号: | 201380056980.0 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN104768899A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 船木开;小松通泰;山口晴彦;青木克之 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;F16C33/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 吴宗颐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种氮化硅烧结体,其特征在于,包含氮化硅晶粒和晶界相,在拍摄该氮化硅烧结体的任意截面时,每100μm×100μm单位面积晶界相的面积比为15~35%。另外,所述每100μm×100μm单位面积的晶界相的面积比优选为15~25%。另外,氮化硅烧结体适于耐磨件。根据上述构成,可以提供加工性良好、滑动特性优良的氮化硅烧结体及使用其的耐磨件。 | ||
搜索关键词: | 氮化 烧结 使用 耐磨 | ||
【主权项】:
氮化硅烧结体,其特征在于,包含氮化硅晶粒和晶界相,在拍摄该氮化硅烧结体的任意截面时,每100μm×100μm单位面积的晶界相的面积比为15~35%。
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