[发明专利]扩展的源漏MOS晶体管及形成方法

摘要

一种晶体管及其制造方法，所述晶体管包括衬底、位于所述衬底上方的导电栅极和所述衬底中位于所述导电栅极下方的沟道区。第一及第二绝缘间隔物横向地相邻于所述导电栅极的第一及第二侧。所述衬底中的源极区相邻于所述导电栅极的所述第一侧和所述第一间隔物，但与所述导电栅极的所述第一侧和所述第一间隔物横向地间隔开；并且所述衬底中的漏极区相邻于所述导电栅极的所述第二侧和所述第二间隔物，但与所述导电栅极的所述第二侧和所述第二间隔物横向地间隔开。第一及第二LD区位于所述衬底中并且分别在所述沟道区和所述源极区或漏极区之间横向地扩展，所述第一及第二LD区各自具有既不设置于所述第一及第二间隔物下方、也不设置于所述导电栅极下方的部分，并且各自具有小于所述源极区或漏极区的掺杂物浓度的掺杂物浓度。

主权项

一种晶体管，包括：衬底；导电栅极，其设置于所述衬底上方并且与所述衬底绝缘，其中所述衬底中的沟道区设置于所述导电栅极下方；第一绝缘材料间隔物，其位于所述衬底上方并且横向地相邻于所述导电栅极的第一侧；第二绝缘材料间隔物，其位于所述衬底上方并且横向地相邻于所述导电栅极的与所述第一侧相对的第二侧；源极区，其形成于所述衬底中并且相邻于所述导电栅极的所述第一侧和所述第一间隔物，但与所述导电栅极的所述第一侧和所述第一间隔物横向地间隔开；漏极区，其形成于所述衬底中并且相邻于所述导电栅极的所述第二侧和所述第二间隔物，但与所述导电栅极的所述第二侧和所述第二间隔物横向地间隔开；第一LD区，其形成于所述衬底中并且在所述沟道区和所述源极区之间横向地扩展，其中所述第一LD区具有设置于所述第一间隔物下方的第一部分和不设置于所述第一及第二间隔物下方并且不设置于所述导电栅极下方的第二部分，并且其中所述第一LD区的掺杂物浓度小于所述源极区的掺杂物浓度；以及第二LD区，其形成于所述衬底中并且在所述沟道区和所述漏极区之间横向地扩展，其中所述第二LD区具有设置于所述第二间隔物下方的第一部分和不设置于所述第一及第二间隔物下方并且不设置于所述导电栅极下方的第二部分，并且其中所述第二LD区的掺杂物浓度小于所述漏极区的掺杂物浓度。