[发明专利]以对字线的顺序选择对3D非易失性存储器进行擦除有效
| 申请号： | 201380043266.8 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104813407B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 西颖·科斯塔;胜·于;罗伊·E·朔伊尔莱因;李海波;曼·L·木伊 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C11/56;G11C16/24;G11C16/34;H01L27/11551;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 对3D堆叠式存储设备的擦除操作基于存储元件的位置来针对每个存储元件调节擦除周期的开始时间和/或擦除周期的持续时间。给NAND串的一个或两个受驱端施加电压，以对沟道预充电至足以在选择栅极晶体管处创建栅极感应漏极泄漏的电平。在基于存储元件距受驱端的距离来确定时间的情况下，在擦除周期中降低控制栅极电压以激励空穴隧穿进入电荷捕获层。降低的控制栅极电压引起足够高以激励隧穿的沟道控制栅极电压。当距受驱端的距离越大时，还增加擦除周期的持续时间。因此，可以实现狭窄的擦除分布。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除周期 控制栅极电压 存储元件 擦除 沟道 隧穿 非易失性存储器 选择栅极晶体管 空穴 电荷捕获层 擦除操作 存储设备 施加电压 顺序选择 栅极感应 堆叠式 受驱端 预充电 漏极 泄漏 狭窄 创建 | ||
【主权项】：
一种用于对3D堆叠式非易失性存储设备(100)中的存储元件的串执行擦除操作的方法，所述存储元件的串在存储器孔中竖直延伸，所述方法包括：通过给所述串(NS0‑NS3；NS8‑NS11，1100)的一端(232，240)施加预充电电压来对所述串的沟道(1102，1152)预充电，所述串包括多个选中的存储元件(1110，1115，1120，1125，1130，1160，1165，1170，1175以及1180)；以及此后，通过下述操作来擦除每个选中的存储元件：给所述串的所述一端施加高于所述预充电电压的擦除电压以将所述沟道充电为更高，同时将所述选中的存储元件的控制栅极电压配置成在相应的擦除周期中激励对所述选中的存储元件的擦除，其中每个所述擦除周期的开始时间或持续时间中的至少一个是基于所述选中的存储元件在所述串中的位置，并且所述控制栅极电压被配置为使得相应的擦除周期交叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司，未经桑迪士克科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380043266.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
