[发明专利]具有提高的抗光致衰退性的硅基太阳能电池

摘要

本发明描述了一种具有高的抗光致衰退性的太阳能装置。设置在p掺杂半导体层与本征半导体层之间的宽光学带隙界面层通过含氢等离子体处理而成为抗光致衰退的。在一个实施方案中，p-i-n结构形成为在p/i界面处具有界面层。可选地，在本征层与n掺杂层之间形成有经含氢等离子体处理的另外的界面层。可替代地，在沉积n掺杂半导体层之前使用含氢等离子体处理本征层的上部。界面层还可应用于具有多个p-i-n结构的多结太阳能电池。p掺杂层和n掺杂层可选地可以包括不同组成和不同形态(例如，微晶或非晶)的子层。整体结构既表现出对于光致衰退的增加的稳定性又表现出提高的性能水平。

主权项

一种形成具有提高的抗光致衰退性的太阳能电池的方法，所述方法包括：提供透明基板，在所述透明基板上形成有透明导电的第一电极层；在所述透明基板和电极之上沉积一个或更多个p掺杂半导体层，所述一个或更多个p掺杂层包括至少一个包含如下物质的子层：p掺杂非晶硅、p掺杂非晶硅碳、p掺杂非晶硅氧、p掺杂微晶硅、p掺杂微晶氢化硅、p掺杂微晶硅碳或p掺杂微晶硅氧；在所述p掺杂半导体层上沉积实质上由本征氢化非晶硅膜组成的宽光学带隙界面膜；用氢等离子体处理所述宽光学带隙界面膜；在所述宽光学带隙界面膜之上沉积含硅的本征半导体层；在所述本征半导体层之上沉积一个或更多个n掺杂半导体层，所述一个或更多个n掺杂半导体层包括至少一个包含如下物质的子层：n掺杂非晶硅、n掺杂非晶硅碳、n掺杂非晶硅氧、n掺杂微晶硅、n掺杂微晶氢化硅、n掺杂微晶硅碳或n掺杂微晶硅氧；在所述n掺杂半导体层之上形成第二电极。