[发明专利]半导体陶瓷组合物的制造方法无效
| 申请号： | 201380020711.9 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104302599A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司;上田到;猪野健太郎 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能抑制电阻温度系数(α)变小并得到稳定特性的无铅钙钛矿半导体陶瓷组合物的制造方法。其中BaTiO3氧化物中一些Ba被Bi和A(A表示Na、Li和K的一种以上)置换的无铅半导体陶瓷组合物的制造方法，所述方法的特征在于：在700℃至1300℃(包括)下煅烧用于形成所述半导体陶瓷组合物的原料；将在1300℃至1450℃(包括)下为液体的含Ba和Ti的氧化物添加至煅烧的原料；使其成型；其后，在1300℃至1450℃(包括)的温度下烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体陶瓷组合物的制造方法，所述半导体陶瓷组合物为其中BaTiO3系氧化物中一部分Ba被Bi和A(其中A为Na、Li和K的至少一种)置换的无铅半导体陶瓷组合物，所述方法包括：在700℃至1,300℃下煅烧用于形成所述半导体陶瓷组合物的原料；将在1,300℃至1,450℃下变为液相的含Ba和Ti的氧化物添加至所述煅烧的原料；成形添加有所述含Ba和Ti的氧化物的所述原料；然后在1,300℃至1,450℃的温度下烧结添加有所述含Ba和Ti的氧化物的所述原料。
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