[发明专利]借助磁场传感器阵列基于霍耳效应非接触测量相对位置的位移传感器

摘要

本发明涉及用于非接触测量产生磁场的磁场源(102)和磁场传感器(100)相对于彼此的相对位置的位移传感器，其中磁场源(102)和磁场传感器(100)相对于彼此可移动。多个磁场探头(106‑1,106‑2,106‑3,...106‑N)产生多个位置信号，每个磁场探头检测磁场的磁通密度的至少两个空间分量(By,Bz)。控制和计算单元(108)基于所述多个位置信号计算位移传感器的输出信号，并且存储单元(110)存储各个位置信号，控制和计算单元计算磁通密度的大小并且将该大小与预定阈值比较，从而如果所述磁通密度的大小比所述阈值高则为各磁场探头(106‑1,106‑2,106‑3,...106‑N)输出当前计算的位置信号，如果所述磁通密度小于或者等于所述阈值则输出先前存储的位置信号。

主权项

用于非接触测量产生磁场的磁场源(102)和磁场传感器(100)相对于彼此的相对位置的位移传感器，其中所述磁场源(102)和所述磁场传感器(100)相对于彼此可移动，其中所述磁场传感器(100)包括：用于产生多个位置信号的多个磁场探头(106‑1,106‑2,106‑3,...106‑N)，每个磁场探头构造为使得其检测所述磁场的磁通密度的至少两个空间分量(By,Bz)并且依据所测量的空间分量产生所述位置信号，控制和计算单元(108)，所述控制和计算单元用于基于所述多个位置信号计算所述位移传感器的输出信号，存储单元(110)，所述存储单元用于存储个体位置信号，所述控制和计算单元能够被操作以计算所述磁通密度的大小并且将该大小与预定的阈值比较，从而如果所述磁通密度的大小比所述阈值高则为每个磁场探头(106‑1,106‑2,106‑3,...106‑N)输出当前计算的位置信号，并且如果所述磁通密度小于或者等于所述阈值则输出先前存储的位置信号。