[发明专利]利用具有等离子体蚀刻的混合式多步骤激光划线工艺的晶圆切割有效
| 申请号： | 201380014729.8 | 申请日： | 2013-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104169040A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | W-S·类;B·伊顿;M·R·亚拉曼希里;S·辛格;A·库玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | B23K26/40 | 分类号： | B23K26/40;B23K26/06;B23K26/364;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 兹描述切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有数个集成电路。方法包括形成遮罩于半导体晶圆上。遮罩由覆盖及保护集成电路的层组成。利用多步骤激光划线工艺图案化遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩。图案化露出集成电路间的半导体晶圆区域。接着经由图案化遮罩的间隙蚀刻半导体晶圆，以单粒化集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 具有 等离子体 蚀刻 混合式 步骤 激光 划线 工艺 切割 | ||
【主权项】：
一种切割半导体晶圆的方法，所述半导体晶圆包含数个集成电路，所述方法包含以下步骤：形成遮罩于所述半导体晶圆上，所述遮罩包含覆盖及保护这些集成电路的层；以多步骤激光划线工艺图案化所述遮罩，以提供具有多个间隙的图案化遮罩，而露出这些集成电路间所述半导体晶圆的多个区域，所述多步骤激光划线工艺包含以下步骤：利用两个或更多个偏移、但重迭的高斯光束通来划线；及随后，利用与这些高斯光束通重迭的高帽光束通来划线；及经由所述图案化遮罩的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单粒化这些集成电路。
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