[发明专利]作为硬掩膜抗反射涂层材料的基于二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷的倍半硅氧烷树脂及其制备方法无效
申请号: | 201380010313.9 | 申请日: | 2013-01-08 |
公开(公告)号: | CN104136493A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | P-F·傅;埃里克·S·莫耶;杰森·苏何尔 | 申请(专利权)人: | 道康宁公司 |
主分类号: | C08G77/04 | 分类号: | C08G77/04;H01L21/312;C09D183/04 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 牟静芳;郑霞 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种制备基于DIABS的倍半硅氧烷树脂的方法,该树脂用在用于光刻技术的抗反射硬掩膜涂层中。或者本发明提供从基于DIABS的倍半硅氧烷树脂制备抗反射涂层的方法和在光刻技术中使用所述抗反射涂层的方法。基于DIABS的倍半硅氧烷树脂具有由包括二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷(DIABS)以及选自含水R1SiX3、R2SiX3、R3SiX3和SiX4中的至少一种硅烷单体的水解和缩合形成的结构单元;其中R1是H或烷基,X是卤化物或烷氧基,R2是发色团部分,且R3是反应位点或交联位点。基于DIABS的倍半硅氧烷树脂的特征在于,存在通过二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷(DIABS)的水解而形成的至少一个四官能SiO4/2单元。 | ||
搜索关键词: | 作为 硬掩膜抗 反射 涂层 材料 基于 二叔丁氧基二 乙酰 硅烷 倍半硅氧烷 树脂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制备基于二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷(DIABS)的倍半硅氧烷树脂的方法,所述倍半硅氧烷树脂用在用于光刻技术的硬掩膜抗反射涂层中,所述方法包括下述步骤:a)在溶剂中提供包括DIABS以及选自R1SiX3、R2SiX3、R3SiX3和SiX4中的至少一种的硅烷单体,以形成反应混合物;其中R1是H或烷基,X是卤化物或烷氧基,R2是发色团部分,且R3是反应位点或交联位点;b)通过在预定温度将水加入所述反应混合物中经历预定量的时间,允许水解反应和缩合反应发生以形成所述基于DIABS的倍半硅氧烷树脂中的结构单元;以及c)用至少一个为SiO4/2单元的结构单元形成基于DIABS的倍半硅氧烷树脂溶液,所述SiO4/2单元源自所述DIABS单体的所述水解和缩合;可选地,d)将催化剂加入所述反应混合物中,所述催化剂为选自HCl、HF、HBr、HNO3和H2SO4中的一个无机酸;以及可选地,之后是从所述基于DIABS的倍半硅氧烷树脂溶液中除去或中和所述催化剂的步骤。
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