[发明专利]作为硬掩膜抗反射涂层材料的基于二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷的倍半硅氧烷树脂及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201380010313.9 申请日: 2013-01-08
公开(公告)号: CN104136493A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: P-F·傅;埃里克·S·莫耶;杰森·苏何尔 申请(专利权)人: 道康宁公司
主分类号: C08G77/04 分类号: C08G77/04;H01L21/312;C09D183/04
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 牟静芳;郑霞
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种制备基于DIABS的倍半硅氧烷树脂的方法,该树脂用在用于光刻技术的抗反射硬掩膜涂层中。或者本发明提供从基于DIABS的倍半硅氧烷树脂制备抗反射涂层的方法和在光刻技术中使用所述抗反射涂层的方法。基于DIABS的倍半硅氧烷树脂具有由包括二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷(DIABS)以及选自含水R1SiX3、R2SiX3、R3SiX3和SiX4中的至少一种硅烷单体的水解和缩合形成的结构单元;其中R1是H或烷基,X是卤化物或烷氧基,R2是发色团部分,且R3是反应位点或交联位点。基于DIABS的倍半硅氧烷树脂的特征在于,存在通过二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷(DIABS)的水解而形成的至少一个四官能SiO4/2单元。
搜索关键词: 作为 硬掩膜抗 反射 涂层 材料 基于 二叔丁氧基二 乙酰 硅烷 倍半硅氧烷 树脂 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于制备基于二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷(DIABS)的倍半硅氧烷树脂的方法,所述倍半硅氧烷树脂用在用于光刻技术的硬掩膜抗反射涂层中,所述方法包括下述步骤:a)在溶剂中提供包括DIABS以及选自R1SiX3、R2SiX3、R3SiX3和SiX4中的至少一种的硅烷单体,以形成反应混合物;其中R1是H或烷基,X是卤化物或烷氧基,R2是发色团部分,且R3是反应位点或交联位点;b)通过在预定温度将水加入所述反应混合物中经历预定量的时间,允许水解反应和缩合反应发生以形成所述基于DIABS的倍半硅氧烷树脂中的结构单元;以及c)用至少一个为SiO4/2单元的结构单元形成基于DIABS的倍半硅氧烷树脂溶液,所述SiO4/2单元源自所述DIABS单体的所述水解和缩合;可选地,d)将催化剂加入所述反应混合物中,所述催化剂为选自HCl、HF、HBr、HNO3和H2SO4中的一个无机酸;以及可选地,之后是从所述基于DIABS的倍半硅氧烷树脂溶液中除去或中和所述催化剂的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于道康宁公司,未经道康宁公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380010313.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top