[发明专利]具有有源漂移区带的半导体布置

摘要

一种半导体器件布置包括：半导体层；和至少一个串联电路，具有第一半导体器件和n多个第二半导体器件，其中，n＞1。所述第一半导体器件具有负载路径以及在所述半导体层中所集成的有源器件区域。每个第二半导体器件具有在所述半导体层中所集成的有源器件区域以及在第一负载端子和第二负载端子与控制端子之间的负载路径。所述第二半导体器件使得其负载路径串联连接并且串联连接到所述第一半导体器件的负载路径。每个第二半导体器件使得其控制端子连接到其它第二半导体器件之一的负载端子。所述第二半导体器件之一使得其控制端子连接到所述第一半导体器件的负载端子之一。所述布置还包括：边沿端接结构。

主权项

一种半导体器件布置，包括：半导体层（100）；至少一个串联电路（1），具有第一半导体器件（2）并且具有n多个第二半导体器件（3₁‑3_n），其中，n > 1，所述第一半导体器件具有（2）负载路径并且具有在所述半导体层中所集成的有源器件区域，所述第二半导体器件（3₁‑3_n）中的每一个具有在所述半导体层中所集成的有源器件区域并且具有在第一负载端子和第二负载端子（32₁‑32_n，33₁‑33_n）与控制端子（31₁‑31_n）之间的负载路径，所述第二半导体器件（3₁‑3_n）使得其负载路径串联连接并且串联连接到所述第一半导体器件（2）的负载路径，所述第二半导体器件（3₁‑3_n）中的每一个使得其控制端子（31₁‑31_n）连接到其它第二半导体器件（3₁‑3_n）之一的负载端子，并且所述第二半导体器件（3₁‑3_n）之一使得其控制端子（31₁‑31_n）连接到所述第一半导体器件（2）的所述负载端子（22，23）之一；以及边沿端接结构（4）。