[发明专利]利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜有效
| 申请号： | 201380000852.4 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104094412B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 鱼英柱;尹庆勋;安世镇;郭智惠;尹载浩;赵雅拉;申基植;安承奎;赵俊植;柳镇洙;朴相炫;朴柱炯 | 申请（专利权）人： | 韩国能源技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 龚建华 |
| 地址： | 韩国大田*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜。本发明的铜铟镓硒系薄膜的制作方法，包括：制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤（a）；含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30‑400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤（b）；在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（c）；干燥铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（d）；利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤（e）。据此可使用比以前铜铟镓硒系薄膜制作时低的温度进行硒化热处理，从而节减制作费用，并用低温也能够充分完成薄膜内结晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 熔点 熔剂 太阳能电池 用铜铟镓硒系 薄膜 制作方法 据此 方法 制作 铜铟镓硒系 | ||
【主权项】：
一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法，其特征在于，包括：(a)制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤；(b)含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30‑400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤，其中助熔剂是选自硫酰胺、硒酸钠(十水物)、亚硒酸钠及氨基磺酸组成的组中的任意一个；(c)在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤；(d)干燥上述铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤；(e)利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤，在250‑450℃范围下，硒化热处理30‑120分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
