[实用新型]一种低热应力结构的高功率半导体激光器有效
| 申请号： | 201320877486.8 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN203747236U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜;王警卫 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/042 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种低热应力结构的高功率半导体激光器，该结构的半导体激光器热应力低，能够适应复杂工作环境。该高功率半导体激光器主要包括依次层叠的四层结构，第一层是作为正极连接块的热沉，热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，第二层包括半导体激光器芯片和绝缘片，半导体激光器芯片焊接于所述芯片安装区，绝缘片安装于所述绝缘区，第三层是起导电作用的电极连接层，第四层是负极连接块；所述电极连接层中，与半导体激光器芯片焊接的部位为平面齿状结构，用以降低电极连接层与芯片之间的热应力，该部位与负极连接块保持间隙，电极连接层的其他部位与负极连接块焊接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低热 应力 结构 功率 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种低热应力结构的高功率半导体激光器，其特征在于：主要包括依次层叠的四层结构，第一层是作为正极连接块的热沉，热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，第二层包括半导体激光器芯片和绝缘片，半导体激光器芯片焊接于所述芯片安装区，绝缘片安装于所述绝缘区，第三层是起导电作用的电极连接层，第四层是负极连接块；所述电极连接层中，与半导体激光器芯片焊接的部位为平面齿状结构，用以降低电极连接层与芯片之间的热应力，该部位与负极连接块保持间隙，电极连接层的其他部位与负极连接块焊接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安炬光科技有限公司，未经西安炬光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320877486.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成像设备和成像方法
- 下一篇：一种工业用热处理炉真空系统
