[实用新型]一种高压电路版图设计结构有效
| 申请号： | 201320867751.4 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN203721722U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫俄依恩扎 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高压电路版图设计结构。所述高压电路版图设计结构包括：P型衬底、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱、具有第一宽度的第一P型阱和具有第二宽度的第二P型阱。所述高压电路版图设计结构实现了高压电路间的阱间隔离和电压跟踪。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 电路 版图 设计 结构 | ||
【主权项】：
一种高压电路版图设计结构，其特征在于，包括： P型衬底； 形成在所述P型衬底上的第一N型阱、第二N型阱和第三N型阱； 形成在所述P型衬底上具有第一宽度的第一P型阱，所述第一P型阱形成在第一N型阱和第二N型阱之间，所述第一宽度取决于第一N型阱和第二N型阱间的穿通电压； 形成在所述P型衬底上具有第二宽度的第二P型阱，所述第二P型阱形成在第二N型阱和第三N型阱之间，所述第二宽度取决于第二N型阱和第三N型阱间的穿通电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
