[实用新型]一种单相偏磁式自屏蔽磁控电抗器有效
| 申请号： | 201320837187.1 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN204010935U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 沈将军;阎吉;魏波涛;郑笑彤;黄斌 | 申请（专利权）人： | 北京清晖翔科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/24 | 分类号： | H01F27/24;H01F27/30;H01F27/26;H01F27/245;H02J3/18 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 102200 北京市昌*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单相偏磁式自屏蔽磁控电抗器，包括铁心和气隙隔片，其中，铁心为三柱结构，三柱结构包括中柱、第一边柱和第二边柱，中柱具有纯气隙，第一边柱和第二边柱分别包括两级截面不同的铁心，分别为第一磁化区和第二磁化区；中柱上具有中柱交流绕组，第一边柱和第二边柱分别包括控制绕组和交流绕组。该磁控电抗器的谐波电流小，输出电流的基本接近于线性，响应速度快，磁路流通简单，控制方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单相 偏磁式 屏蔽 电抗 | ||
【主权项】：
一种单相偏磁式自屏蔽磁控电抗器，包括铁心和气隙隔片，其特征在于，所述铁心为三柱结构，所述三柱结构包括中柱、第一边柱和第二边柱，所述中柱具有纯气隙，所述第一边柱和所述第二边柱分别包括两级截面不同的铁心，分别为第一磁化区和第二磁化区；所述中柱上具有中柱交流绕组，第一边柱和第二边柱分别具有控制绕组与交流绕组。
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