[实用新型]碱槽转轴有效
| 申请号： | 201320829817.0 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN203674179U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 施炜青;贺贤汉;张松江 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型碱槽转轴，包括：滚轴，滚轴的旋转中心设置硅片盒中硅片的正下方，滚轴为扇形；插片，插片为三个，三个插片设置在滚轴的圆弧与滚轴的半径的两个交点处及滚轴所在圆的圆心处；其中滚轴的旋转中心离硅片下方参考面的垂直距离H为31.7毫米～32毫米；滚轴的旋转中心离硅片下方参考面两侧端点的距离B为42.6毫米～43.2毫米；滚轴的旋转中心离设置在滚轴所在圆的圆心上的插片顶端的距离L2为47.6毫米～48.2毫米。本实用新型碱槽转轴通过改变原先转轴的形貌及尺寸，以提供充分的转向助力，使得参考面长度为57.5毫米的硅片可以顺畅的旋转。完全利用生产现场现有材料进行制作，加工周期短、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 转轴 | ||
【主权项】：
碱槽转轴，其特征在于，包括：滚轴，所述滚轴的旋转中心设置硅片盒中硅片的正下方，所述滚轴为扇形；插片，所述插片为三个，三个所述插片设置在所述滚轴的圆弧与所述滚轴的半径的两个交点处及所述滚轴所在圆的圆心处；其中所述滚轴的旋转中心离硅片下方参考面的垂直距离H为31.7毫米～32毫米；所述滚轴的旋转中心离硅片下方参考面两侧端点的距离B为42.6毫米～43.2毫米；所述滚轴的旋转中心离设置在所述滚轴所在圆的圆心上的所述插片顶端的距离L2为47.6毫米～48.2毫米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
