[实用新型]硅通孔测试结构有效
| 申请号： | 201320804163.6 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN203631539U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吕勇;王笃林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种用于进行再分布层电迁移测试的硅通孔测试结构，包括：多个设有两根硅通孔的硅通孔结构，两个硅通孔一端通过第一金属条电连接，另一端通过再分布层分别与相邻的硅通孔结构中的两根硅通孔电连接，多个第一金属条和再分布层。将现有技术中的第一金属层改变成多个第一金属条，每一条金属条将硅通孔结构中的两根硅通孔的一端电连接起来，再使用再分布层将多个硅通孔结构中的两根硅通孔串联起来，由于第一金属条较短不易发生电迁移形成的空洞，并且能够准确测试再分布层的电迁移性能；由于还添加了第一硅通孔漏电流测试结构和第二硅通孔漏电流测试结构，两者之间保持预定距离，用于测试硅通孔之间的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种硅通孔测试结构，用于进行再分布层电迁移测试，其特征在于，所述结构包括：多个硅通孔结构、多个第一金属条以及所述再分布层，其中，每一所述硅通孔结构包括两根硅通孔，两根所述硅通孔的一端通过所述第一金属条电连接，两根所述硅通孔的另一端通过所述再分布层分别与相邻的硅通孔结构中的两根硅通孔电连接。
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