[实用新型]一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈有效
| 申请号： | 201320773023.7 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN203602749U | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李明飞;闫志瑞;杨凯;陈海滨 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈，该线圈为平板单匝结构，该线圈的上表面为三级台阶结构，包括第一台阶、第二台阶、第三台阶，第一台阶靠近线圈的内部圆口，第三台阶位于线圈表面的最外侧；线圈内部圆口处具有十字切槽，该十字切槽的前端和左右两端分别延伸出一切缝，在该三个切缝的端部均设有一段垂直于该切缝的缝隙，各切缝与其端部的缝隙呈T字形状。本实用新型的结构设计可以达到局部区域磁场强度增强的效果，改善了多晶硅棒下方固液界面形状，有助单晶的散热，更加利于单晶生长。本实用新型大大改善了加热线圈对多晶硅棒的熔化效果，提高硅单晶的生长稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 拉制 英寸 区熔硅单晶 加热 线圈 | ||
【主权项】：
一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于：该线圈为平板单匝结构，该线圈的上表面为三级台阶结构，包括第一台阶、第二台阶、第三台阶，第一台阶靠近线圈的内部圆口，第三台阶位于线圈表面的最外侧；线圈内部圆口处具有十字切槽，该十字切槽的前端和左右两端分别延伸出一切缝，在该三个切缝的端部均设有一段垂直于该切缝的缝隙，各切缝与其端部的缝隙呈T字形状。
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