[实用新型]一种提升硅片扩散方阻均匀性的装置有效
申请号: | 201320765360.1 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN203674241U | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 许文凤;闫新春;陈龙;郭兴刚;张满良;梁汉杰 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/22 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种提升硅片扩散方阻均匀性的装置,它包括:进气装置、石英管、排废管、匀流板和石英舟,所述的石英管上固设有进气装置,石英管的底部设有排废管,排废管的上部设有匀流板,匀流板的右部设有石英舟,该装置减少了硅片片内方阻梯度,提高扩散方阻的片内均匀性,并通过改善扩散后硅片方阻的均匀性,减小印刷烧结后接触电阻的大小,从而提升电池片效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 硅片 扩散 均匀 装置 | ||
【主权项】:
一种提升硅片扩散方阻均匀性的装置,其特征在于:它包括:进气装置(1)、石英管(2)、排废管(3)、匀流板(4)和石英舟(5),所述的石英管(2)上固设有进气装置(1),石英管(2)的底部设有排废管(3),排废管(3)的上部设有匀流板(4),匀流板(4)的右部设有石英舟(5);所述的石英舟(5)由舟齿(51)、舟板(52)和舟底杆(53)组成,舟板(52)通过和舟底杆(53)上设有的舟齿(51)固设在舟底杆(53)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥特斯维能源(太仓)有限公司,未经奥特斯维能源(太仓)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320765360.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED封装结构
- 下一篇:一种湿法刻蚀的切水装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的