[实用新型]退磁检测电路有效

专利信息
申请号: 201320760002.1 申请日: 2013-11-26
公开(公告)号: CN203759231U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 刘柳胜;牟在鑫;郭越勇 申请(专利权)人: 美芯晟科技(北京)有限公司
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12;H05B37/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 刘贝
地址: 100086 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供了一种退磁检测电路(10),包括:压降单元(11),参考电平发生单元(12)和比较单元(13),其中,压降单元(11)与被测功率开关管(M1)的漏极端(DRAIN)连接,用于降低来自该漏极端(DRAIN)的信号的电压,并将降压后的漏极信号(Vx)发送给所述比较单元(13);参考电平发生单元(12)生成参考阈值(Vref_DM),并将该参考阈值(Vref_DM)发送给所述比较单元(13);所述比较单元(13)的不同输入端分别接收所述降压后的漏极信号(Vx)和所述参考阈值(Vref_DM),并且所述比较单元(13)将所述降压后的漏极信号(Vx)和所述参考阈值(Vref_DM)进行比较,来检测退磁结束时间点。应用该电路可以在恒流驱动电路中的功率开关管的漏极端检测电感退磁时间。
搜索关键词: 退磁 检测 电路
【主权项】:
一种退磁检测电路(10),其特征在于,包括:压降单元(11),参考电平发生单元(12)和比较单元(13),其中, 压降单元(11)与被测功率开关管(M1)的漏极端(DRAIN)连接,用于降低来自该漏极端(DRAIN)的信号的电压,并将降压后的漏极信号(Vx)发送给所述比较单元(13); 参考电平发生单元(12)生成参考阈值(Vref_DM),并将该参考阈值(Vref_DM)发送给所述比较单元(13); 所述比较单元(13)的不同输入端分别接收所述降压后的漏极信号(Vx)和所述参考阈值(Vref_DM),并且所述比较单元(13)将所述降压后的漏极信号(Vx)和所述参考阈值(Vref_DM)进行比较,来检测退磁结束时间点。 
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