[实用新型]制造功率器件的多反应腔系统有效
申请号: | 201320688090.9 | 申请日: | 2013-11-04 |
公开(公告)号: | CN203607375U | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 陈爱华 | 申请(专利权)人: | 中晟光电设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;包姝晴 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开一种制造功率器件的多反应腔系统,包含:第一反应腔,通过外延反应在衬底基板上形成缓冲层,衬底基板放置于托盘上;第二反应腔,通过外延反应在已形成有缓冲层的衬底基板上形成完整的氮化镓功率器件结构;装卸腔,放置已形成完整的氮化镓功率器件结构的衬底基板,或用于放置待进行外延反应的衬底基板;传输腔,分别连接第一反应腔、第二反应腔与装卸腔,传输腔中设有机械手,该机械手使衬底基板或衬底基板所在托盘在第一反应腔、第二反应腔与装卸腔之间转移。本实用新型设置多个反应腔分别进行不同工艺分步生产功率器件,有效节省了不同工艺之间切换的时间,并减少了前一工艺对后续工艺的影响,提高了生产效率和功率器件的质量。 | ||
搜索关键词: | 制造 功率 器件 反应 系统 | ||
【主权项】:
一种制造功率器件的多反应腔系统,用于制造氮化镓功率器件,其特征在于,该多反应腔系统包含:第一反应腔(104),其用于通过外延反应在衬底基板上形成缓冲层,所述衬底基板放置于托盘上;第二反应腔(106),其用于通过外延反应在已形成有缓冲层的衬底基板上形成完整的氮化镓功率器件结构;装卸腔(108),其用于放置已形成完整的氮化镓功率器件结构的衬底基板,或用于放置待进行外延反应的衬底基板;传输腔(102),其分别连接所述的第一反应腔(104)、第二反应腔(106)与装卸腔(108),该传输腔(102)中设有机械手,该机械手用于实现衬底基板或衬底基板所在托盘在所述第一反应腔(104)、第二反应腔(106)与装卸腔(108)之间转移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造